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	Ihre Aktion	Suchen (Schlagwörter GND (Phrase) (XSP)) accrescimento cristallino eingrenzen (Basisklassifikation (XBKL)) 53.09

Titel:	Amorphous and crystalline insulating thin films - 1996 : symposium held December 2 - 4, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A. ; [Symposium K, "Amorphous and Crystalline Insulating Thin Films" from the 1996 MRS Fall Meeting] / ed.: William L. Warren ...
Sonst. Personen:	Warren, William L. [Hrsg.]
Körperschaft/en:	Symposium Amorphous and Crystalline Insulating Thin Films 4 1996 Boston, Mass.
Konferenz:	Symposium K: "Amorphous and Crystalline Insulating Thin Films" ; 5 (Boston, Mass.) : 1996.12.02-04 Fall Meeting. Materials Research Society (Symposium K) ; 1996 (Boston, Mass.) : 1996.12.02-04
Sprache/n:	Englisch
Veröffentlichungsangabe:	Pittsburgh, Pa. : Materials Research Society, 1997
Umfang:	XII, 440 S : Ill., graph. Darst.
Art des Inhalts:	Konferenzschrift (1996, Boston, Mass.); Konferenzschrift
Schriftenreihe:	Materials Research Society symposium proceedings / Materials Research Society. - New York, NY [u.a.] : North-Holland Publ. Co., 1981- ; ZDB-ID: 605289-7 ; 446
Anmerkung:	Literaturangaben
ISBN:	1-55899-350-9
Schlagwörter:	Dielektrische Schicht / Amorpher Halbleiter / Halbleiterschicht / Kristallwachstum Dielectric films -- Congresses ; Amorphous semiconductors -- Congresses ; Semiconductor films -- Congresses ; Crystal growth -- Congresses
Sachgebiete:	53.09 Werkstoffe der Elektrotechnik 52.78 Oberflächentechnik Wärmebehandlung
Mehr zum Thema:	Klassifikation der Library of Congress: TK7871.15.F5 Dewey Dezimal-Klassifikation: 621.3815/2 Regensburger Verbund-Klassifikation: UP 7750: U Physik / UP Festkörperphysik / Leitfähigkeit dünner Schichten Regensburger Verbund-Klassifikation: ZN 3480: ZG-ZS Technik / ZN Elektrotechnik, Elektronik, Nachrichtentechnik / Isolierstoffe
Mehr zum Titel:	Inhaltsverzeichnis

Lokale Sachgebiete:	Nat G 268; Dünne Schicht Nat B 2391; Halbleiterfilm

Signatur:	1 A 306187
Standort:	Potsdamer Straße





Literaturverwaltung:	BIBTEX - ENDNOTE - RIS

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